Полупроводниковая электроника — отрасль электроники, занимающаяся исследованием электронных процессов в полупроводниках и их использованием — главным образом в целях преобразования и передачи информации. Именно с успехами полупроводниковой электроники связаны, в основном, высокие темпы развития электроники в 50-70-х гг. 20 в. и её проникновение в автоматику, связь, вычислительную технику, системы управления, астрономию, физику, медицину, в исследования космического пространства, в быт и т.д.
Основные вехи развития полупроводниковой электроники — открытие Фотоэффекта в селене (У. Смит, США, 1873), открытие односторонней проводимости контакта металла с полупроводником (К.Ф. Браун, 1874), использование кристаллических полупроводников, например галенита (PbS), в качестве Детекторовдля демодуляции радиотелеграфных и радиотелефонных сигналов (1900-05), создание медно-закисных (купроксных) и селеновых выпрямителей тока и Фотоэлементов (1920-1926), использование кристаллических детекторов для усиления и генерирования колебаний (О.В. Лосев, 1922), изобретение транзистора (У. Шокли, У. Браттейн, Дж. Бардин, 1948), создание планарной технологии (1959), появление интегральной электроникии переход к микроминиатюризации электронного оборудования (1959-1961).
Большой вклад в создание полупроводниковой электроники внесли советские учёные — физики и инженеры (А.Ф. Иоффе, Н.П. Сажин, Я.И. Френкель, Б.М. Вул, В.М. Тучкевич, Г.Б. Абдулаев, Ж.И. Алферов, К.А. Валиев, Ю.П. Докучаев, Л.В. Келдыш, С.Г. Калашников, В.Г. Колесников, А.В. Красилов, В.Е, Лашкарёв, Я.А. Федотов и многие др.).
Развитие полупроводниковой электроники стало возможным благодаря фундаментальным научным достижениям в области квантовой механики, физики твёрдого тела и физики полупроводников.
Главные технологические задачи полупроводниковой электроники — получение полупроводниковых материалов (в основном монокристаллических) с требуемыми свойствами, реализация сложных ПП структур (прежде всего р-n -переходов) и разработка методов изготовления полупроводниковых приборов, в которых ПП слои сочетаются с диэлектрическими и металлическими.
Исключительно важную роль в развитии полупроводниковой электроники сыграло появление и быстрое распространение планарной технологии. Материалы полупроводниковой электроники должны иметь строго заданные состав и структуру, нередко — обладать исключительно высокими чистотой и совершенством структуры.
Появление разнообразнейших ПП приборов позволило осуществить сложные, зачастую принципиально новые электронные устройства и создать самостоятельную отрасль электронной промышленности — промышленность, производящую дискретные ПП приборы и интегральные микросхемы. Выпускаемые промышленностью изделия полупроводниковой электроники характеризуются высокими эксплуатационными свойствами.